Kim, Yoon-Ho Nat. Commun. 9, 192 (2018).

[김윤호 교수 연구실] 약한 측정을 이용한 효율적인 양자상태측정 방법 제시

약한 값 측정을 이용한 효율적인 양자 채널 토모그래피 실험 모식도 포스텍(포항공대) 김윤호 교수 연구팀은 효율적인 양자 채널 토모그래피 방법을 제시하고 실험적으로 구현했다. 물리학과 김윤호 교수 연구팀의 김요셉 학생은 한국과학기술연구원(KIST)의 조영욱 박사 연구팀과의 공동연구를 통해 양자 채널 특성을 나타내는 행렬의 성분을 직접 측정하는 방법을 제시하여 양자 채널 토모그래피에 필요한 측정 횟수를 획기적으로 줄였다고 밝혔다. 이 연구는 저명 학술지인 Nature Communications 최신호 (2018.1)에 게재됐다. 이번 연구를 통해 양자정보기술 구현에 큰 걸림돌이었던 양자 채널 특성 확인에 필요한 측정 시간을 획기적으로 단축할 수 있게 되었다. 양자 통신, 양자 컴퓨터 등과 같은 양자정보기술을 구현하기 위해서는 양자 상태와 양자 채널을 의도한대로 정확히 구현할 수 있어야 한다. 그뿐만 아니라 양자 상태와 양자 채널이 실험적으로 잘 구현됐는지 확인하는 수단이 필요한데 이를 각각 양자 상태 토모그래피와 양자 채널 토모그래피라고 한다. 일반적으로 양자 상태가 양자 채널을 지나고 나면 양자 상태에 변화가 생긴다. 양자 채널 토모그래피는 이 점을 이용해서 이미 알고 있는 양자 상태를 양자 채널에 입력할 때 양자 상태가 어떻게 변화하는지를 관측함으로써 양자채널의 특성을 측정한다. 하지만 양자 채널의 크기가 커질수록 필요한 측정의 횟수가 기하급수적으로 증가하는 어려움이 있다. 연구팀은 양자 채널을 나타내는 행렬의 성분 중 일부만이 양자 채널 특성에 주요하게 기여한다는 것에 주목하였다. 행렬의 성분이 복소수의 값을 가지기 때문에 보편적인 양자측정으로는 측정이 불가능하지만 양자역학의 특수한 측정 방법인 약한 값 측정은 보편적인 양자측정으로는 측정이 불가능한 복소수의 물리량도 측정할 수 있다. 연구팀은 약한 값 측정을 활용하여 양자 채널 특성에 기여하는 물리량을 직접 측정할 수 있는 방법을 제시하였고 이를 실험으로 구현하여 16번의 측정이 필요한 양자 채널을 4번의 측정만으로 특성을 정량화할 수 있음을 확인하였다. 연구를 주도한 김윤호 교수는 “이번 연구 성과는 양자 채널 특성을 효율적으로 측정하는 방법론을 제시하여 양자정보기술 구현에 유용하게 활용될 수 있다” 라고 밝혔다.

Kim, Jun Sung Nature Materials 17, 794 (2018).

[김준성 교수 연구실]Large anomalous Hall current induced by topological nodal lines in a ferromagnetic van der Waals semimetal

(왼쪽) Fe3GeTe2 가 갖는 선형 위상전자 구조 모식도 (오른쪽) 기존 강자성체 대비 Fe3GeTe2 의 높은 이상홀 효과 포스텍(포항공대) 김준성 교수 연구팀이 강자성과 위상특성을 동시에 보이는 반데르발스 물질을 구현했다. 물리학과 김준성 교수 연구팀의 서준호 학생과 포스텍 막스플랑크 연구소 김규 박사와 서울대 물리학과 양범정 교수팀은 물리학과 민병일 교수, 염한웅 교수 연구팀과의 공동연구로 Fe3GeTe2 라는 철기반 강자성 반데르발스 물질에서 관측한 높은 이상홀 효과가 위상전자구조에 기인한다는 점을 최초로 밝혔다. 이 연구는 물리분야 대표적인 저명 학술지인 Nature Materials최신호 (2018. 8)에 게재됐다. 이번 연구를 통해 2차원 반데르발스 구조를 갖는 위상 자성체 연구에 새로운 전기가 마련될 것으로 기대된다. 위상물질은 그 성질을 결정하는 전자구조에 위상학적인 특이성이 있는 물질이다. 뫼비우스 띠를 아무리 변형시켜도 찢지 않으면 정상적인 띠로 만들 수 없는 것처럼, 위상물질에 나타나는 꼬여진 전자구조 역시, 물질의 화학 구조가 크게 바뀌지 않는 한 계속 보존이 된다. 이처럼 위상물질의 위상학적 안정성을 이용하면, 외부 잡음에 월등히 강하고 정보 손실 없는 새로운 양자 소자를 구현할 수 있을 것으로 여겨진다. 기존의 위상물질은 그래핀이나 위상부도체처럼 자성을 띠지 않는 물질이 대부분이었다. 이번에 발견된 위상 강자성체(topological ferromagnet)에서는 전도 전자의 스핀의 방향이 대부분 하나로 정해져 양자역학적인 자기장에 의한 효과가 강하게 나타나게 된다. 즉, 이 물질에 흐르는 전류는 외부의 자기장이 없더라도 강하게 휘어지면서 경계부분에 스핀이 정렬된 전하가 쌓이게 되고 그 양이 보통 자성체에 비해 훨씬 많게 된다. 이처럼 위상학적 특이점 근처의 베리 곡률효과로 인해 이상홀 효과가 강하게 나타나는 자성 소재를 이용하면 차세대 고감도 자성 센서나 스핀 정보소자 개발로 이어질 가능성이 있다. 이번 연구를 통해 위상특성과 자성특성간의 상관관계를 이해함으로써 향후 위상자성체 분야 연구의 새로운 방향을 제시하고 새로운 물질 디자인과 합성연구의 기반이 마련되었다고 할 수 있다. 또한 이번에 발견된 물질은 반데르발스 구조를 가지고 있어, 흑연으로부터 그래핀을 얻어내는 것처럼, 손쉽게 2차원 강자성체로 변환이 될 수 있다. 최근 전 세계적으로 활발히 연구되고 있는 2차원 반도체 물질등과도 쉽게 결합될 수 있는 장점이 있어 향후 2차원 물질에 기반을 둔 차세대 스핀소자 개발의 활성화도 기대된다. 연구를 주도한 김준성 교수는 “이번 연구 성과는 앞으로 2차원 물질의 위상 특성을 이용한 스핀트로닉스 연구에 중요한 기여를 할 것으로 기대된다” 라고 밝혔다.

Kim, ki-seok Nano Letters 18, 5432 (2018)

[김기석 교수 연구실] Emergence of a Metal-Insulator Transition and High-Temperature Charge-Density Waves in VSe2 at the Monolayer Limit

VSe_2의 전자구조 재구성에 대한 두께, 온도, 계면으로 정의된 공간에서의 상도표.각 상에는 브릴루앙 영역의 1/6에 해당하는 페르미표면 모델이 있으며 실선(점선)은 갭이 닫혀(열려) 있음을 의미한다. 포스텍(포항공대) 김기석 교수 연구팀이 3차원 물질을 2차원 물질로 만들었을 때 나타나는 새로운 상전이 현상을 이해하는 틀을 제안하였다. 물리학과 김기석 교수 연구팀의 장익수 학생과 서울시립대학교 물리학과 장영준 교수 연구팀, 그리고 울산대학교 물리학과 김정대 교수 연구 팀은 Lawrence Berkeley National Laboratory 연구팀, Center for Correlated Electron Systems (IBS)의 박제근 교수 연구팀, 그리고 National Taiwan University 연구팀과의 (국제) 공동연구를 통해 그래핀 위에 VSe_2 단원자층을 만들었을 때 나타나는 2차원 물질의 새로운 상전이 현상을 발견하고 그 원리를 규명하였다고 밝혔다. 이 연구는 물리분야 대표적인 저명 학술지인 Nano Letters 18, 5432 (2018)에 게재됐다. 이번 연구는 2차원물질에서 차원과 계면으로 인해 전자들 사이의 상호작용이 조절되어 어떻게 전자구조 재구성이 일어날 수 있는지를 밝힌 연구로 평가된다. 표면 및 계면의 변화로 야기되는 전자 구조 재구성은 고체물리학에서 중요한 이슈로, 특히 산화물 복합구조에서 집중적으로 연구되어 왔다. 최근에는 적층 구조의 반데르발스(van der Waals) 시스템에서 저차원 구조 및 이질계면(heterointerface) 에 의한 전자구조 재구성에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있는 추세 이다. 특히 전이금속칼코겐 화합물이 단원자층 두께가 되었을 때 밴드갭 구조, 초전도, 강자성, 전하 밀도파(charge density wave) 등과 같은 다양한 물성에 변화가 생겨 이는 많은 관심을 받고 있는 주제이다. 반데르발스의 약한 상호작용으로 인해 전이금속칼코겐 화합물에서 계면의 역할은 종종 무시되곤 하지만, 최근 그래핀에서 발견된 초전도 현상처럼 반데르발스 물질에서도 계면은 아주 중요한 역할을 한다. (물리학과 첨단기술 NOVEMBER 2018 새로운 연구결과 소개에서 인용) 그래핀 위에 성장된 단원자층 VSe_2의 전자 및 원자 구조에 대한 체계적인 연구를 각분해 광전자 분광법(angle-resolved photoemission spectroscopy, ARPES), 주사터널링현미경(scanning tunneling microscope, STM)을 활용하여 수행하였다. 덩어리 VSe_2 시편과 직접 비교를 통해 단원자층 VSe_2에선 페르미 면의 k_z방향에 대한 의존성이 사라져 2차원 특성을 보이며 동시에 페르미 면 겹싸기(Fermi surface nesting)가 급격히 강화됨을 확인하였다. 이 결과는 재규격화군(renormalization group) 분석을 통해 3차원 시스템에서의 불완전한 겹싸기가 2차원에서 완벽한 겹싸기로 바뀌는 것이 보편적으로 일어날 수 있음을 증명함으로써 이해될 수 있었다. 결과적으로 단원자층 VSe2의 Tcdw가 ∼350 K까지 급격히 상승됨을 ARPES 및 STM 실험을 통해 확인하였다. 더욱 흥미로운 점은 135 K에서 덩어리 시스템에서는 존재하지 않는 금속-절연체 전이가 일어나며 강한 격자뒤틀림이 동반된다는 것이다. √3×2 & √3×√7 주기를 갖는 이 격자 뒤틀림은 12×aG(그래핀 격자상수)와 구조적으로 잘 일치하여 이질계면의 중요성을 확인하였다. (물리학과 첨단기술 NOVEMBER 2018 새로운 연구결과 소개에서 인용) 연구를 주도한 장영준, 김정대, 그리고 김기석 교수는 “본 연구는 최근 이슈가 되고 있는 2차원물질에서 차원과 계면으로 인해 전자들 사이의 상호작용이 조절되어 어떻게 전자구조 재구성이 일어날 수 있는지 보여주는 좋은 예시가 될 것으로 기대된다.” 라고 밝혔다.

Lee, Hu-Jong / Lee, Gil-Ho Nano Lett. 17, 6125–6130 (2017)

[이후종, 이길호 교수 연구실]반데르발스 물질 기반의 이종접합에서 강한 조셉슨 결합 구현, Strong Proximity Josephson Coupling in Vertically Stacked NbSe2–Graphene–NbSe2 van der Waals Junctions

[그림: (왼쪽) 그래핀과 나이오븀 다이셀레나이드의 적층구조의 모식도와 단면 TEM사진, (오른쪽) 구현된 적층구조의 전자현미경 사진] 포스텍 연구팀이 그래핀 전도막에 니오비움 다이셀레나이드라는 층상구조를 지닌 초전도물질을 미세 스케일에서 옮겨 붙이는 전사방식을 이용해 강한 결맞음 특성을 가지는 초전도접합을 구현해 냈다. 이후종, 이길호 포스텍 물리학과 교수와 김민수 맨체스터대학 박사연구원 등 연구팀은 그래핀과 초전도물질을 차례로 옮겨 붙이는 비교적 간편한 방식으로 그래핀을 두 초전도 전극 사이에 샌드위치처럼 끼워 넣은 수직형태의 초전도접합을 최초로 실현했다. 초전도 물질은 온도를 극저온으로 내리면 전기저항이 사라져 열이 나지 않으면서 전류가 흐르는 초전류 특성을 보여 전기·전자 분야에서 광범위하게 응용되고 있다. 이런 초전도 물질 사이에 얇은 전도체를 끼워 넣으면 서로 떨어져 있는 초전도 물질 사이에도 전기저항이 없는 초전류가 흐르게 된다. 이러한 접합구조는 전도체에 초전도 물질을 진공에서 증발시켜 쌓는 복잡한 과정을 통해서만 제조가 가능했다. 하지만 이번 연구팀이 복잡한 과정을 거치지 않더라도 강한 결맞음 특성을 가지는 초전도접합을 구현한 것이다. 탄소원자로 이뤄진 그래핀은 원자 하나의 두께를 가진 가장 얇은 전도물질인데 이렇게 제작된 초전도접합은 초전도 전극간에 그간 보고된 적이 없는 강한 연계성과 양자간섭 특성을 보여 미래형 첨단 컴퓨터로 불리는 양자컴퓨터나 양자간섭소자 등에 폭넓게 활용될 수 있다. 연구를 주도한 이후종 교수는 “그래핀-초전도 양자소자 개발은 물론 그래핀을 기반으로 한 다양한 전사물질 접합 응용에 실질적인 활로를 열 것으로 기대된다”고 밝혔다.

Kim, Jun Sung Nat. Commun. 8, 2167 (2017)

[김준성 교수 연구실]Frustration-driven C4 symmetric order in a naturally-heterostructured superconductor Sr2VO3FeAs

[그림: (a) Sr2VO3FeAs의 철계 초전도층과 모트 절연체 층의 상호작용의 경쟁과 각 층의 전자상태 (b) C4 대칭성이 유지되는 특이 전하/오비탈 정렬 상태 ] 철계 초전도체와 모트절연체 이종접합의 특이기저상태 발견 김준성 교수 연구실의 옥종목 박사와 드레스덴 IFW 연구소의 백승호 박사는 강한 전자상호작용을 가지는 이종접합 초전도체인 Sr2VO3FeAs 물질의 특이한 전하/오비탈 정렬 상을 발견하고 특성을 규명하였다. 이 연구결과는 Nature Communications에 2017. 12. 18일자로 게재되었다. 고체내의 전자상호작용은 스핀/오비탈/전하 자유도의 자발적 대칭붕괴상태를 유도한다. 이 연구에서는 서로 다른 전자상호작용이 경쟁하는 철계 초전도체-모트절연체 이종접합에서 기존에 알려지지 않은 특이한 기저상태가 발현됨을 최초로 발견하였다. 이 연구는 향후 강상관 이종접합의 특이 상태와 물성을 이해하는데 중요한 기초를 제공할 것으로 기대된다.

Kim, Dong Eon Nat. Comm. (2017)

[김동언 교수 연구실] 200 배 큰 초고속 자기 냉각 효과 세계 최초로 관측

포스텍 김동언 교수 그룹과 충북대 김동현 교수 그룹은 펨토초(10-15초) ~ 피코초(10-12초) 시간대의 초고속 상태에서 자기냉각 효과 연구를 수행했다. 비평형 상태에서 평형상태 보다 200 배 더 큰 자기냉각 효과를 얻을 수 있다는 것을 세계 최초로 관측했다. 거대 자기열량 효과 (Giant Magnetocaloric Effect)가 발견된 이후 자기냉각 효과 (Magnetic Cooling Effect)는 미래 친환경적 냉각 기술의 대안이 된다. 초고속 자화 동역학 과정은, 전자, 격자 그리고 스핀 간의 초고속 상호작용을 이해할 수 있는 단초를 제공하며 미래의 초고속 스핀디바이스 개발 면에서 의의가 크다 자기장을 가하여 자성시스템의 엔트로피를 감소시켜 냉각시키는 자기냉각 효과의 존재는 1881년 독일과학자 Warburg 에 의해 처음 관측되었다. 이 후 P. Weiss (1917년), P. Debye (1926) 등에 의해 기본원리 등이 설명된 바 있으나, 자기장 냉각

Min, Byung Il Phys. Rev. Lett. (2016)

[민병일 교수 연구실]Electronic structure of YbB6: Is it a Topological Insulator or not?

최근 희토류 화합물인 YbB6 물질이 위상콘도절연체가 될 수 있다는 이론 및 실험적 논문들이 보고된 이후, YbB6 물질의 위상 물성에 대한 논쟁이 계속 제기되어 왔다. 포항공대 이론 연구팀은 한국, 미국,독일 등 실험 연구팀들과의 공동 연구를 통해, YbB6 물질은 위상콘도절연체나 위상절연체가 될 수 없다는 사실을 명백히 규명 하였다. 이 연구는 희토류 화합물에서 어떠한 조건이 갖추어져야 위상콘도절연체가 될 수 있는지를 제시함으로써, 향후 위상콘도절연체 물질 연구에 큰 활기를 보태어줄 것으로 전망된다.

Kang, Myung Ho Physical Review Letters 117, 116102 (2016)

[Sep 9, 2016] 강명호 교수 연구실 - Single-Layer Limit of Metallic Indium Overlayers on Si(111)

[Sep 9, 2016] 강명호 교수 연구실 - Single-Layer Limit of Metallic Indium Overlayers on Si(111) Physical Review Letters 117, 116102 (2016) http://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.117.116102 전자구조이론연구실에서는 원자 한층 두께의 인듐(In) 금속막의 원자구조와 2차원 극한의 금속 물성을 규명하였다. 논문은 Physical Review Letters (저자: 박재환, 강명호) 에 게재되었다 (2016. 9. 09). In 금속막은 대표적인 2차원 금속계로서 그 원자구조 규명이 초미의 관심사였는데, 2012년 PRL 논문에서 double-layer 구조를 규명한데 이어, 이번에 단원자층 구조 까지 해결함으로써 나노과학기술의 큰 진전을 이루었다. [그림: Si 표면 위의 In 2중층과 단원자층 구조] Density-functional calculations are used to identify one-atom-thick metallic In phases grown on the Si(111) surface, which have long been sought in quest of the ultimate two-dimensional (2D) limit of metallic properties. We predict two metastable single-layer In phases, one 7‾√×3‾√ phase with a coverage of 1.4 monolayer (ML; here 1 ML refers to one In atom per top Si atom) and the other 7‾√×7‾√ phase with 1.43 ML, which indeed agree with experimental evidences. Both phases reveal quasi-1D arrangements of protruded In atoms, leading to 2D-metallic but anisotropic band structures and Fermi surfaces. This directional feature contrasts with the free-electron-like In-overlayer properties that are known to persist up to the double-layer thickness, implying that the ultimate 2D limit of In overlayers may have been achieved in previous studies of double-layer In phases.

Kim, Jun Sung / Kim, Tae-Hwan /Min, Byung Il Layer-Confined Excitonic Insulating Phase in Ultrathin Ta2NiSe5 Crystals

[Aug 15, 2016] 김준성, 김태환, 민병일 교수 연구실 - Layer-Confined Excitonic Insulating Phase in Ultrathin Ta2NiSe5 Crystals

[Aug 15, 2016] 김준성, 김태환, 민병일 교수 연구실 - Layer-Confined Excitonic Insulating Phase in Ultrathin Ta2NiSe5 Crystals ACS Nano 10 (9), pp 8888–8894 (2016). http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.6b04796 [그림: (왼쪽위) Ta2NiSe5의 결정구조 (왼쪽 아래) Ta2NiSe5의 액시톤 응축상 전후의 전자구조 모식도 (오른쪽) 액시톤 응축상태 물질인 Ta2NiSe5와 1T-TiSe2의 두께(층 수)에 따른 상전이 온도의 변화. Inset: 서로 다른 두께를 가지는 Ta2NiSe5 박막결정의 온도에 따른 저항변화] “반데르발스 물질의 엑시톤 응축상태의 특성 규명” 김준성 (제1저자 김소영), 김태환, 민병일 교수 연구실은 준이차원 물질인 Ta2NiSe5의 엑시톤 응축 상태의 특성을 규명하였다. 연구결과는 ACS Nano 에 2016. 9. 27일자로 게재되었다. 반도체에서 전자와 홀의 결합으로 형성되는 엑시톤은 반도체갭의 크기가 매우 작을 때 자발적 응축상태를 만들게 된다. 이 연구에서는 반데르발스 물질인 Ta2NiSe5에서 발현되는 엑시톤 응축상태가 2차원 층에 국소화되어 나타난다는 실험적인 증거를 기계적 박리를 통해 얻은 2차원 물질 특성변화 관측을 통해 제시하였다. 이 결과는 2차원 물질의 특이 기저상태를 이해하는데 중요한 기초를 제공할 것으로 기대된다. Atomically thin nanosheets, as recently realized using van der Waals layered materials, offer a versatile platform for studying the stability and tunability of the correlated electron phases in the reduced dimension. Here, we investigate a thickness-dependent excitonic insulating (EI) phase on a layered ternary chalcogenide Ta2NiSe5. Using Raman spectroscopy, scanning tunneling spectroscopy, and in-plane transport measurements, we found no significant changes in crystalline and electronic structures as well as disorder strength in ultrathin Ta2NiSe5 crystals with a thickness down to five layers. The transition temperature, Tc, of ultrathin Ta2NiSe5 is reduced from its bulk value by ΔTc/Tcbulk ≈ −9%, which strongly contrasts the case of 1T-TiSe2, another excitonic insulator candidate, showing an increase of Tc by ΔTc/Tcbulk ≈ +30%. This difference is attributed to the dominance of interband Coulomb interaction over electron–phonon interaction and its zero-ordering wave vector due to the direct band gap structure of Ta2NiSe5. The out-of-plane correlating length of the EI phase is estimated to have monolayer thickness, suggesting that the EI phase in Ta2NiSe5 is highly layer-confined and in the strong coupling limit.

Lee, Jong-Bong Proceedings of the National Academy Sciences USA (PNAS)

[March 7, 2016] 이종봉 교수 연구실 - Dynamic control of strand excision during human DNA mismatch repair

[March 7, 2016] 이종봉 교수 연구실 - Dynamic control of strand excision during human DNA mismatch repair Proceedings of the National Academy Sciences USA (PNAS) doi:10.1073/pnas.1523748113 생명체의 유전 정보 복제 과정 중 발생될 수 있는 오류 염기쌍은 체내의 여러 단백질과 DNA의 상호작용을 통해서 자연 복구 된다. 그러나 이런 오류가 제대로 감지되고 복구되지 못하는 경우 돌연변이를 야기하거나, 암세포가 발생되기도 한다. 2015년 노벨 화학상이 DNA 오류 복구 과정에 관한 연구에 수여될 정도로 학계에서도 매우 중요한 문제로 인식되고 있다. 이종봉 교수 연구팀은 이 일련의 복구 과정 중 기존에 규명하지 못했던 오류 염기쌍 인식 후, 오류 염기쌍을 포함한 DNA 가닥의 제거 메커니즘을 오류 염기쌍 제거에 관련된 다양한 단백질들과 DNA간의 복잡한 상호작용을 단일분자 단위로 실시간 관찰하여 밝혀내는데 성공했다. 본 연구 결과는 제 1저자인 전용문 학생과 공동저자인 김대형, 이량근, 오정식 학생의 참여로 3월 7일자 Proceedings of the National Academy Sciences USA (PNAS)에 게재되었다.(doi:10.1073/pnas.1523748113). Mismatch repair (MMR) is activated by evolutionarily conserved MutS homologs (MSH) and MutL homologs (MLH/PMS). MSH recognizes mismatched nucleotides and form extremely stable sliding clamps that may be bound by MLH/PMS to ultimately authorize strand-specific excision starting at a distant 3′- or 5′-DNA scission. The mechanical processes associated with a complete MMR reaction remain enigmatic. The purified human (Homo sapien or Hs) 5′-MMR excision reaction requires the HsMSH2–HsMSH6 heterodimer, the 5′ → 3′ exonuclease HsEXOI, and the single-stranded binding heterotrimer HsRPA. The HsMLH1–HsPMS2 heterodimer substantially influences 5′-MMR excision in cell extracts but is not required in the purified system. Using real-time single-molecule imaging, we show that HsRPA or Escherichia coli EcSSB restricts HsEXOI excision activity on nicked or gapped DNA. HsMSH2–HsMSH6 activates HsEXOI by overcoming HsRPA/EcSSB inhibition and exploits multiple dynamic sliding clamps to increase tract length. Conversely, HsMLH1–HsPMS2 regulates tract length by controlling the number of excision complexes, providing a link to 5′ MMR.